Questões Militares Para engenharia eletrônica

Foram encontradas 1.003 questões

Resolva questões gratuitamente!

Junte-se a mais de 4 milhões de concurseiros!

Q1989108 Engenharia Eletrônica

Um determinado circuito possui as seguintes expressões para a tensão e corrente em sua entrada:

v = 120V sen (ωt +80º) e i = 4A sen (ωt +20º)

Com base nestes valores, o valor da potência média fornecida será igual a 

Alternativas
Q1989107 Engenharia Eletrônica

Um dos principais usos dos diodos é em circuitos retificadores, que podem ser de meia onda ou de onda completa. Informe Verdadeiro (V) ou Falso (F) para as afirmativas relacionadas aos circuitos retificadores utilizando diodos ideais. Em seguida, marque a opção que apresenta a sequência correta.

(  ) Em um retificador de meia onda, o valor médio da tensão retificada é igual ao valor de pico da tensão retificada dividido por π.

(  ) Em um retificador de onda completa em ponte, a frequência do sinal retificado é o dobro da frequência do sinal senoidal na entrada do retificador.

(  ) Caso seja desejado o mesmo valor médio da tensão de saída, o transformador utilizado para reduzir a tensão na entrada de um circuito retificador de onda completa terá um maior número de espiras se a retificação for em ponte.

(  ) Para uma mesma tensão retificada, a tensão de pico inversa nos diodos de um retificador em ponte é maior do que a tensão de pico inversa de um retificador de onda completa que utilize transformador com derivação central.

(  ) Em um retificador de onda completa em ponte ou em um que utilize transformador com derivação central, a corrente média nos diodos é igual a metade da corrente média na carga. 

Alternativas
Q1989106 Engenharia Eletrônica

Semicondutores são elementos químicos com propriedades elétricas entre o isolante e o condutor.

Analise as afirmativas abaixo, referentes à construção de diodos.

I. A camada de depleção é a região próxima à junção do material tipo P e material tipo N na qual não existem os portadores de carga.

II. A polarização reversa em um diodo aumenta a largura da camada de depleção.

III. A corrente de saturação em um diodo polarizado reversamente é causada pelas impurezas e imperfeições na estrutura do cristal semicondutor.

IV. Quando se atinge a tensão de ruptura de um diodo, uma grande quantidade de portadores majoritários é produzido pelo efeito avalanche.

V. Um aumento na temperatura em um diodo produz um aumento tanto dos portadores minoritários quanto dos portadores majoritários.


Estão corretas apenas as afirmativas: 

Alternativas
Q1989105 Engenharia Eletrônica

No circuito RLC abaixo, considera-se ω = 500 rad/s e o valor eficaz da tensão em Vs igual a 60V∠0º .

Imagem associada para resolução da questão

O valor da potência ativa será igual a

Alternativas
Q1989104 Engenharia Eletrônica

Para o circuito abaixo, o valor da potência dissipada no resistor R3 de 1 kΩ é igual a 


Imagem associada para resolução da questão

Alternativas
Respostas
51: D
52: D
53: A
54: B
55: C